Toshiba и Rohm ще произвеждат съвместно SiC силови полупроводници за електромобили

Търсенето на продукти на базата на силициев карбид (Silicon Carbide – SiC) постоянно се увеличава. SiC елементите повишават ефективността на съвременните силови електронни системи и намаляват размерите, теглото и цената им.

Точно поради тази причина, електронният гигант Toshiba и водещият производител на чипове Rohm официално заявиха, че ще произвеждат съвместно така наречените „мощни полупроводници“, използвани в електрическите превозни средства.

Двете компании планират съвместно производство в завод, който Toshiba изгражда в префектура Ишикава в централна Япония. През следващата година Rohm планира да отвори друг завод в югозападната префектура Миязаки. Сътрудничеството е насочено към използване на опита на двете компании в създаването на такива продукти.

По-специално, двете компании ще се съсредоточат върху инвестирането в разработването и разширяването на доставките на така наречените SiC силови полупроводници или елементи от силициев карбид. Такива чипове се считат за много издръжливи и осигуряват повишено спестяване на енергия.